Система скоростного анизотропного травления кремния.

     Вашему вниманию предлагается система скоростного анизотропного травления кремния, которая должна обеспечивать следующие целевые параметры:

1.Скорость травления кремния             4-8 мкм /мин

2.Анизотропия                                            85-90 град

3.Селективность к маске фоторезиста     более 75

4.Селективность к окиси кремния            более150

5.Однородность травления по пластине     ±5%

6.Отношени глубины к ширине канавки  более 30

7.Глубина травления                                     более 100 мкм

     Представленные параметры предполагается получить на экспериментальной установке с использованием  источника  высокоплотной плазмы и криогенным термостатируемым подложкодержателем. В России известны отдельные попытки реализации глубинного анизотропного травления до 60 мкм с использованием системы реактивного ионного травления  при скорости около 1 мкм/мин, тогда как зарубежные фирмы вышли на рекордный показатель в 20 мкм/мин. 

     Они не только давно и успешно травят  с использованием ICP – источников плазмы практически весь спектр электронных материалов, но и активно вторгаются в область микромеханики. Среди таких фирм можно назвать следующие:

     Все перечисленные фирмы  на приведенных моделях установок снабжены ICP- источниками плазмы и могут работать как в традиционном режиме реактивного ионного травления при скорости анизотропного глубинного травления 2 мкм/мин, так и в режиме Bosch –процесса на скорости до 6 мкм/мин.

     Специалистами  города Зеленограда в 2000-2001 году получен первый опыт по криогенному режиму травления с использованием ICP источника плазмы, который предполагается использовать для проектирования и создания установки включающей следующие системы:

-источник высокоплотной плазмы с магнитной системой управления разрядом при мощности ВЧ-разряда более 1000 Вт

-систему подачи высокочастотного управляющего смещения  до 400 Вт на подложкодержатель

-систему криогенного термостатирования подложкодержателя при температуре до -100 С

-вакуумную систему, оснащенную турбомолекулярным насосом со скоростью прокачки до 1000 л/с

-систему автоматической загрузки пластин до 150 мм со шлюзованием

- систему газораспреления по 5 каналам (4 технологических газа плюс гелий под пластину)

-систему стабилизации рабочего давления в диапазлне 1,3-13 Па.

    Ваши заказы, предложения и вопросы направляйте по приведённым ниже адресам электронной почты: kj135@rambler.ru, nb135@mail.ru

                                                         ПРИЛОЖЕНИЕ


Equipment:
Plasmalab System 100 with ICP380 source and vacuum loadlock

Technology:
Reactive Ion Etching
Inductive Coupled Plasma Source
room temperature process
He backside cooling
"Bosch process" with gas chopping:
isotropic etch/ polymer formation






 


источники плазмы   плазма   AsGa   GaN   InP   плазма   источники плазмы   GaN   InP   AsGa